Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP2010UFG-13 Diodes Incorporated
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -12.7A; Idm: -80A; 2.3W, Polarisation: unipolar, Pulsed drain current: -80A, Drain current: -12.7A, Drain-source voltage: -20V, Gate-source voltage: ±10V, Gate charge: 103nC, On-state resistance: 12.5mΩ, Kind of package: 13 inch reel; tape, Power dissipation: 2.3W, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: P-MOSFET, Case: PowerDI3333-8, Mounting: SMD.
Інші пропозиції DMP2010UFG-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP2010UFG-13 | Diodes Incorporated |
 MOSFETs 20V P-Ch Enh FET 10Vgss -80A Idm |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMP2010UFG-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -12.7A; Idm: -80A; 2.3W Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -80A Drain current: -12.7A Drain-source voltage: -20V Gate-source voltage: ±10V Gate charge: 103nC On-state resistance: 12.5mΩ Kind of package: 13 inch reel; tape Power dissipation: 2.3W Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Case: PowerDI3333-8 Mounting: SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMP2010UFG-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 20V P-Ch Enh FET 10Vgss -80A Idm
MOSFETs 20V P-Ch Enh FET 10Vgss -80A Idm
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| DMP2010UFG-13 |
|
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -12.7A; Idm: -80A; 2.3W
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -80A
Drain current: -12.7A
Drain-source voltage: -20V
Gate-source voltage: ±10V
Gate charge: 103nC
On-state resistance: 12.5mΩ
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 2.3W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -12.7A; Idm: -80A; 2.3W
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -80A
Drain current: -12.7A
Drain-source voltage: -20V
Gate-source voltage: ±10V
Gate charge: 103nC
On-state resistance: 12.5mΩ
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 2.3W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.