DMP2010UFG-13 DIODES INCORPORATED
Виробник: DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -12.7A; Idm: -80A; 2.3W
Case: PowerDI3333-8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12.7A
On-state resistance: 12.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 103nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: -80A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP2010UFG-13 DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -12.7A; Idm: -80A; 2.3W, Case: PowerDI3333-8, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -12.7A, On-state resistance: 12.5mΩ, Type of transistor: P-MOSFET, Power dissipation: 2.3W, Polarisation: unipolar, Kind of package: 13 inch reel; tape, Gate charge: 103nC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±10V, Pulsed drain current: -80A, Mounting: SMD, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції DMP2010UFG-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP2010UFG-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 12.7A |
товару немає в наявності |
|
 |
DMP2010UFG-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 20V P-Ch Enh FET 10Vgss -80A Idm |
товару немає в наявності |
|
| DMP2010UFG-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -12.7A; Idm: -80A; 2.3W Case: PowerDI3333-8 Drain-source voltage: -20V Drain current: -12.7A On-state resistance: 12.5mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.3W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 103nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: -80A Mounting: SMD |
товару немає в наявності |