Продукція > DIODES INC. > DMP2010UFV-13
DMP2010UFV-13

DMP2010UFV-13 DIODES INC.

DIOD-S-A0003383569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2010UFV-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 0.0075 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+27.40 грн
500+19.92 грн
1000+13.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP2010UFV-13 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMP2010UFV-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 0.0075 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DMP2010UFV-13 за ціною від 12.73 грн до 52.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMP2010UFV-13 DMP2010UFV-13 Виробник : Diodes Incorporated DMP2010UFV.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 50A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 10 V
на замовлення 2373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.57 грн
10+32.49 грн
100+22.28 грн
500+17.40 грн
1000+15.70 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-13 DMP2010UFV-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0003383569_1-2542430.pdf MOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V
на замовлення 8487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+48.92 грн
10+36.21 грн
100+21.63 грн
500+17.07 грн
1000+15.52 грн
3000+12.73 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-13 DMP2010UFV-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0003383569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP2010UFV-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 0.0075 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+52.90 грн
19+43.74 грн
100+27.40 грн
500+19.92 грн
1000+13.37 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP2010UFV.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -40A; Idm: -80A; 2W
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 103nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: -80A
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -40A
On-state resistance: 12.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-13 DMP2010UFV-13 Виробник : Diodes Incorporated DMP2010UFV.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 50A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP2010UFV.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -40A; Idm: -80A; 2W
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 103nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: -80A
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -40A
On-state resistance: 12.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.