Продукція > DIODES INCORPORATED > DMP2016UFDF-7
DMP2016UFDF-7

DMP2016UFDF-7 Diodes Incorporated

DMP2016UFDF.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.16 грн
6000+11.63 грн
9000+11.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP2016UFDF-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 10 V.

Інші пропозиції DMP2016UFDF-7 за ціною від 10.87 грн до 50.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMP2016UFDF-7 DMP2016UFDF-7 Виробник : Diodes Incorporated DMP2016UFDF.pdf Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 10 V
на замовлення 11974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.90 грн
10+32.15 грн
100+22.12 грн
500+16.02 грн
1000+13.69 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2016UFDF-7 DMP2016UFDF-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0012956175_1-2513120.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T and R 3K
на замовлення 5730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+50.01 грн
10+36.45 грн
100+20.83 грн
500+15.92 грн
1000+14.26 грн
3000+11.85 грн
6000+10.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2016UFDF-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP2016UFDF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.