DMP2021UFDE-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 11.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 11.64 грн |
| 30000+ | 11.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP2021UFDE-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 11.1A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerUDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V.
Інші пропозиції DMP2021UFDE-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| DMP2021UFDE-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMP2021UFDE-13 SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
||
 |
DMP2021UFDE-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 10K |
товару немає в наявності |