на замовлення 1077000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 12.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP2021UFDE-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMP2021UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.012 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 760mW, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMP2021UFDE-7 за ціною від 10.61 грн до 56.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP2021UFDE-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET P-CH 20V 11.1A 6UDFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V |
на замовлення 1968000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP2021UFDE-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2021UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.012 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 760mW Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP2021UFDE-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 11.1A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V |
на замовлення 1970808 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP2021UFDE-7 | Виробник : Diodes Zetex |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
на замовлення 530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP2021UFDE-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2021UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.012 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 760mW Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP2021UFDE-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 3K |
на замовлення 3374 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMP2021UFDE-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8.9A; Idm: -60A; 1.2W Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Case: U-DFN2020-6 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -60A Drain-source voltage: -20V Drain current: -8.9A Gate charge: 59nC On-state resistance: 80mΩ Power dissipation: 1.2W Gate-source voltage: ±10V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| DMP2021UFDE-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8.9A; Idm: -60A; 1.2W Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Case: U-DFN2020-6 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -60A Drain-source voltage: -20V Drain current: -8.9A Gate charge: 59nC On-state resistance: 80mΩ Power dissipation: 1.2W Gate-source voltage: ±10V |
товару немає в наявності |