на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 20.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP2021UFDF-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMP2021UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.012 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.02W, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMP2021UFDF-7 за ціною від 16.50 грн до 86.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP2021UFDF-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 730mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP2021UFDF-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2021UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.012 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.02W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP2021UFDF-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R |
на замовлення 2596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP2021UFDF-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2021UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.012 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.02W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP2021UFDF-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R |
на замовлення 2596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP2021UFDF-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 730mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V |
на замовлення 21902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP2021UFDF-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs P-Ch -20V Enh FET 8Vgss 0.73W 2760pF |
на замовлення 467 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP2021UFDF-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R |
товару немає в наявності |