Продукція > DIODES INCORPORATED > DMP2021UTS-13
DMP2021UTS-13

DMP2021UTS-13 Diodes Incorporated

DMP2021UTS.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 18A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.67 грн
5000+19.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP2021UTS-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 20V 18A 8TSSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 4.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-TSSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V.

Інші пропозиції DMP2021UTS-13 за ціною від 17.71 грн до 58.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMP2021UTS-13 DMP2021UTS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMP2021UTS.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 18A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
на замовлення 12480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.26 грн
10+47.59 грн
100+32.95 грн
500+25.83 грн
1000+21.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UTS-13 DMP2021UTS-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0004145036_1-2542455.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 3902 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.24 грн
10+49.87 грн
100+30.05 грн
500+25.10 грн
1000+21.41 грн
2500+17.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2021UTS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP2021UTS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.9A; Idm: -55A; 1.3W; TSSOP8
Gate charge: 59nC
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TSSOP8
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -55A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.9A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.