на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 14.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP2022LSS-13 Diodes Inc
Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2444 pF @ 10 V.
Інші пропозиції DMP2022LSS-13 за ціною від 14.07 грн до 49.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP2022LSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2444 pF @ 10 V |
на замовлення 32500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP2022LSS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; 2.5W; SO8 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: -20V Drain current: -8A On-state resistance: 13mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V |
на замовлення 1564 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP2022LSS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; 2.5W; SO8 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: -20V Drain current: -8A On-state resistance: 13mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1564 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP2022LSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2444 pF @ 10 V |
на замовлення 37712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP2022LSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET PMOS SINGLE P-CHANNL 20V 10A |
на замовлення 3244 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|