Продукція > DIODES INC > DMP2022LSS-13
DMP2022LSS-13

DMP2022LSS-13 Diodes Inc


349217503113289ds31373.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP2022LSS-13 Diodes Inc

Description: DIODES INC. - DMP2022LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.008 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 770mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DMP2022LSS-13 за ціною від 13.59 грн до 78.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMP2022LSS-13 DMP2022LSS-13 Виробник : Diodes Zetex 349217503113289ds31373.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSS-13 DMP2022LSS-13 Виробник : Diodes Incorporated ds31373.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2444 pF @ 10 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.45 грн
5000+18.15 грн
7500+17.37 грн
12500+15.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSS-13 DMP2022LSS-13 Виробник : Diodes Zetex 349217503113289ds31373.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+26.88 грн
24+25.34 грн
25+25.12 грн
100+20.93 грн
250+19.19 грн
500+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSS-13 DMP2022LSS-13 Виробник : Diodes Zetex 349217503113289ds31373.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
450+27.05 грн
521+23.38 грн
526+23.14 грн
713+16.46 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSS-13 DMP2022LSS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A89D48BCEAF3FE27&compId=DMP2022LSS-DTE.pdf?ci_sign=828f8cb9ddb0e2a63369f379de5cb43a06cda914 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: 13 inch reel; tape
на замовлення 2435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+59.28 грн
11+36.24 грн
48+18.96 грн
131+17.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSS-13 DMP2022LSS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A89D48BCEAF3FE27&compId=DMP2022LSS-DTE.pdf?ci_sign=828f8cb9ddb0e2a63369f379de5cb43a06cda914 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: 13 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2435 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.13 грн
10+45.16 грн
48+22.75 грн
131+21.47 грн
2500+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSS-13 DMP2022LSS-13 Виробник : Diodes Incorporated ds31373.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2444 pF @ 10 V
на замовлення 27855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.63 грн
10+48.16 грн
100+31.59 грн
500+22.96 грн
1000+20.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSS-13 DMP2022LSS-13 Виробник : Diodes Incorporated ds31373.pdf MOSFETs PMOS SINGLE P-CHANNL 20V 10A
на замовлення 5084 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.94 грн
10+43.97 грн
100+30.82 грн
500+23.78 грн
1000+21.65 грн
2500+18.49 грн
5000+17.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSS-13 DMP2022LSS-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0004140764-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP2022LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.008 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 770mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.