на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 16.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP2022LSS-13 Diodes Inc
Description: DIODES INC. - DMP2022LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 770mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMP2022LSS-13 за ціною від 15.60 грн до 80.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP2022LSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOP T/R |
на замовлення 160000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMP2022LSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2444 pF @ 10 V |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP2022LSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOP T/R |
на замовлення 786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP2022LSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOP T/R |
на замовлення 786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMP2022LSS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2022LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 770mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP2022LSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2444 pF @ 10 V |
на замовлення 27855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP2022LSS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2022LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 770mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMP2022LSS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMP2022LSS-13 SMD P channel transistors |
на замовлення 2401 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
DMP2022LSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs PMOS SINGLE P-CHANNL 20V 10A |
товару немає в наявності |