DMP2022LSS-13

DMP2022LSS-13 Diodes Incorporated


ds31373.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2444 pF @ 10 V
на замовлення 17500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.52 грн
5000+18.21 грн
7500+17.43 грн
12500+15.53 грн
17500+15.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP2022LSS-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2444 pF @ 10 V.

Інші пропозиції DMP2022LSS-13 за ціною від 18.87 грн до 79.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMP2022LSS-13 DMP2022LSS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP2022LSS-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
On-state resistance: 13mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 13 inch reel; tape
на замовлення 2301 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+71.35 грн
8+55.85 грн
10+48.98 грн
50+33.97 грн
100+28.93 грн
500+21.05 грн
1000+18.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2022LSS-13 DMP2022LSS-13 Виробник : Diodes Incorporated ds31373.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2444 pF @ 10 V
на замовлення 19071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.95 грн
10+48.31 грн
100+31.70 грн
500+23.04 грн
1000+20.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.