на замовлення 2284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 80.02 грн |
| 10+ | 69.38 грн |
| 100+ | 46.22 грн |
| 500+ | 36.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP2022LSSQ-13 Diodes Incorporated
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.4A; Idm: -35A; 1.6W; SO8, Kind of package: reel; tape, Mounting: SMD, Case: SO8, Pulsed drain current: -35A, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -7.4A, On-state resistance: 22mΩ, Type of transistor: P-MOSFET, Power dissipation: 1.6W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 60.2nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±12V, кількість в упаковці: 2500 шт.
Інші пропозиції DMP2022LSSQ-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP2022LSSQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.4A; Idm: -35A; 1.6W; SO8 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SO8 Pulsed drain current: -35A Drain-source voltage: -20V Drain current: -7.4A On-state resistance: 22mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Gate charge: 60.2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
|
|
|
DMP2022LSSQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.4A; Idm: -35A; 1.6W; SO8 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SO8 Pulsed drain current: -35A Drain-source voltage: -20V Drain current: -7.4A On-state resistance: 22mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Gate charge: 60.2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V |
товар відсутній |