DMP2022LSSQ-13 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2022LSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9.3 A, 8000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 770mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 44.31 грн |
| 500+ | 32.46 грн |
| 1000+ | 27.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP2022LSSQ-13 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2022LSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9.3 A, 8000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 770mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DMP2022LSSQ-13 за ціною від 23.35 грн до 100.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP2022LSSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: |
на замовлення 1941 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP2022LSSQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2022LSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9.3 A, 8000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 770mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2031 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| DMP2022LSSQ-13 |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS:
MOSFETs MOSFET BVDSS:
на замовлення 1941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 70.23 грн |
| 10+ | 59.69 грн |
| 100+ | 36.01 грн |
| 500+ | 30.10 грн |
| 1000+ | 25.67 грн |
| 2500+ | 23.49 грн |
| 5000+ | 23.35 грн |
| DMP2022LSSQ-13 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2022LSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9.3 A, 8000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 770mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMP2022LSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9.3 A, 8000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 770mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 100.92 грн |
| 13+ | 66.13 грн |
| 100+ | 44.31 грн |
| 500+ | 32.46 грн |
| 1000+ | 27.22 грн |