Інші пропозиції DMP2035U-7 за ціною від 4.86 грн до 43.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP2035U-7 | Виробник : DIODES/ZETEX |
 P-MOSFET 20V 3.6A 35mΩ 810mW DMP2035U-7 Diodes TDMP2035uкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 2688 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMP2035U-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMP2035U-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMP2035U-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2035U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 810mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 810mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1844 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMP2035U-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 810mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 10 V |
на замовлення 1317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMP2035U-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2035U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 810mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1844 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMP2035U-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
DMP2035U-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
DMP2035U-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 810mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
DMP2035U-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET P-CHANNEL SOT-23 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
DMP2035U-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.9A; 0.81W; SOT23; ESD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.9A Power dissipation: 0.81W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 62mΩ Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
товару немає в наявності |