Продукція > DIODES INCORPORATED > DMP2035UFDF-7
DMP2035UFDF-7

DMP2035UFDF-7 Diodes Incorporated

DMP2035UFDF.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 8.1A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.03W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1808 pF @ 15 V
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+42.62 грн
12+25.15 грн
100+16.10 грн
500+11.44 грн
1000+10.26 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP2035UFDF-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMP2035UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.02 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 660mW, Bauform - Transistor: UDFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DMP2035UFDF-7

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMP2035UFDF-7 DMP2035UFDF-7 Diodes Incorporated DMP2035UFDF.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 2104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFDF-7 DMP2035UFDF-7 DIODES INC. DIOD-S-A0009691208-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP2035UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.02 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFDF-7 DMP2035UFDF-7 DIODES INC. DMP2035UFDF.pdf Description: DIODES INC. - DMP2035UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.02 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFDF-7 DMP2035UFDF.pdf
DMP2035UFDF-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 2104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFDF-7 DIOD-S-A0009691208-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP2035UFDF-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2035UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.02 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFDF-7 DMP2035UFDF.pdf
DMP2035UFDF-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2035UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.02 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.