Продукція > DIODES INCORPORATED > DMP2035UTS-13
DMP2035UTS-13

DMP2035UTS-13 Diodes Incorporated

ds31940.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6.04A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 890mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.04A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.18 грн
5000+12.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP2035UTS-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMP2035UTS-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.04 A, 6.04 A, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.04A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.04A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.035ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 890mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 890mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції DMP2035UTS-13 за ціною від 12.16 грн до 68.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMP2035UTS-13 DMP2035UTS-13 Виробник : DIODES INC. DIODS12997-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP2035UTS-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.04 A, 6.04 A
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.04A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.04A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.035ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 890mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 890mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+26.59 грн
500+19.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UTS-13 DMP2035UTS-13 Виробник : Diodes Incorporated ds31940.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 6.04A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 890mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.04A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 5472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.05 грн
10+35.47 грн
100+23.05 грн
500+16.59 грн
1000+14.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UTS-13 DMP2035UTS-13 Виробник : Diodes Incorporated ds31940.pdf MOSFETs MOSFET P-CHAN
на замовлення 4536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.84 грн
10+40.51 грн
100+22.86 грн
500+17.61 грн
1000+15.89 грн
2500+12.92 грн
5000+12.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UTS-13 DMP2035UTS-13 Виробник : DIODES INC. DIODS12997-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP2035UTS-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.04 A, 6.04 A
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.04A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.04A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.035ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 890mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 890mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+68.49 грн
22+38.36 грн
100+26.59 грн
500+19.75 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UTS-13 DMP2035UTS-13 Виробник : Diodes Zetex ds31940.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 6.04A 8-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UTS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED ds31940.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; 3.96A; Idm: 22A; 0.89W
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: 3.96A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 0.89W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.4nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.