DMP2035UVT-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 6A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.26 грн |
| 6000+ | 8.14 грн |
| 9000+ | 7.75 грн |
| 15000+ | 6.85 грн |
| 21000+ | 6.61 грн |
| 30000+ | 6.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP2035UVT-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMP2035UVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.023 ohm, TSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.2W, Bauform - Transistor: TSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DMP2035UVT-7 за ціною від 10.12 грн до 42.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMP2035UVT-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 6A TSOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 10 V |
на замовлення 46749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMP2035UVT-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.8A; 1.2W; TSOT26; ESD Version: ESD Case: TSOT26 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -4.8A On-state resistance: 62mΩ Power dissipation: 1.2W Gate-source voltage: ±12V Kind of package: 7 inch reel; tape |
на замовлення 2706 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMP2035UVT-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs P-Ch -20V ENH Mode 35mOhm -4.5V -6.0A |
на замовлення 14984 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
DMP2035UVT-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2035UVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.023 ohm, TSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: TSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
DMP2035UVT-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2035UVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.023 ohm, TSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: TSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMP2035UVT-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 6A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 6A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 10 V
на замовлення 46749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 41.85 грн |
| 13+ | 24.85 грн |
| 100+ | 15.90 грн |
| 500+ | 11.29 грн |
| 1000+ | 10.12 грн |
| DMP2035UVT-7 |
|
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.8A; 1.2W; TSOT26; ESD
Version: ESD
Case: TSOT26
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.8A
On-state resistance: 62mΩ
Power dissipation: 1.2W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.8A; 1.2W; TSOT26; ESD
Version: ESD
Case: TSOT26
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.8A
On-state resistance: 62mΩ
Power dissipation: 1.2W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
на замовлення 2706 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 42.86 грн |
| 13+ | 32.67 грн |
| 15+ | 28.36 грн |
| 100+ | 16.25 грн |
| 500+ | 11.69 грн |
| 1000+ | 10.36 грн |
| DMP2035UVT-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs P-Ch -20V ENH Mode 35mOhm -4.5V -6.0A
MOSFETs P-Ch -20V ENH Mode 35mOhm -4.5V -6.0A
на замовлення 14984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DMP2035UVT-7 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2035UVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.023 ohm, TSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: TSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMP2035UVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.023 ohm, TSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: TSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMP2035UVT-7 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2035UVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.023 ohm, TSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: TSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMP2035UVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.023 ohm, TSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: TSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)