на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP2035UVT-7 Diodes Inc
Description: DIODES INC. - DMP2035UVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.023 ohm, TSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.2W, Bauform - Transistor: TSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMP2035UVT-7 за ціною від 6.88 грн до 46.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP2035UVT-7 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R |
на замовлення 756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DMP2035UVT-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 6A TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 10 V |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DMP2035UVT-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2035UVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.023 ohm, TSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: TSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DMP2035UVT-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.8A; 1.2W; TSOT26; ESD Mounting: SMD Case: TSOT26 Kind of package: 7 inch reel; tape Drain current: -4.8A On-state resistance: 62mΩ Power dissipation: 1.2W Gate-source voltage: ±12V Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V |
на замовлення 3746 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMP2035UVT-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.8A; 1.2W; TSOT26; ESD Mounting: SMD Case: TSOT26 Kind of package: 7 inch reel; tape Drain current: -4.8A On-state resistance: 62mΩ Power dissipation: 1.2W Gate-source voltage: ±12V Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3746 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DMP2035UVT-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs P-Ch -20V ENH Mode 35mOhm -4.5V -6.0A |
на замовлення 20357 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMP2035UVT-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 6A TSOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 10 V |
на замовлення 54148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMP2035UVT-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2035UVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.023 ohm, TSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: TSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMP2035UVT-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R |
на замовлення 756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
DMP2035UVT-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R |
товару немає в наявності |