DMP2036UVT-7 Diodes Zetex


dmp2036uvt.pdf Виробник: Diodes Zetex
High Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP2036UVT-7 Diodes Zetex

Description: MOSFET P-CH 20V 6A TSOT26, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: TSOT-26, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1808 pF @ 15 V.

Інші пропозиції DMP2036UVT-7

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMP2036UVT-7 Виробник : Diodes Inc dmp2036uvt.pdf High Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2036UVT-7 DMP2036UVT-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP2036UVT.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; Idm: -40A; 1W; TSOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
Power dissipation: 1W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20.5nC
Pulsed drain current: -40A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2036UVT-7 DMP2036UVT-7 Виробник : Diodes Incorporated DMP2036UVT.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 6A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1808 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2036UVT-7 DMP2036UVT-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0007324766_1-2542939.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V TSOT26 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2036UVT-7 DMP2036UVT-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP2036UVT.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; Idm: -40A; 1W; TSOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
Power dissipation: 1W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20.5nC
Pulsed drain current: -40A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.