Інші пропозиції DMP2039UFDE4-7 за ціною від 11.08 грн до 67.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP2039UFDE4-7 | Виробник : DIODES INC. |
 Description: DIODES INC. - DMP2039UFDE4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 7.3 A, 0.019 ohm, X2-DFN2020, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 690mW Bauform - Transistor: X2-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP2039UFDE4-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 25V 7.3A 6DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerXDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 690mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN2020-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 15 V |
на замовлення 2935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP2039UFDE4-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 X2-DFN2020-6 T&R 3K |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP2039UFDE4-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2039UFDE4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 7.3 A, 0.019 ohm, X2-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 690mW Bauform - Transistor: X2-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP2039UFDE4-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 25V 7.3A 6-Pin DFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DMP2039UFDE4-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 25V 7.3A 6-Pin DFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DMP2039UFDE4-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 25V 7.3A 6DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerXDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 690mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN2020-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |