Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > DMP2039UFDE4-7

DMP2039UFDE4-7

DMP2039UFDE4.pdf
Код товару: 200462
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції DMP2039UFDE4-7 за ціною від 13.62 грн до 45.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMP2039UFDE4-7 DMP2039UFDE4-7 Diodes Incorporated DMP2039UFDE4.pdf Description: MOSFET P-CH 25V 7.3A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerXDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN2020-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 15 V
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.72 грн
11+29.62 грн
100+20.21 грн
500+14.95 грн
1000+13.62 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2039UFDE4-7 DMP2039UFDE4-7 DIODES INC. DMP2039UFDE4.pdf Description: DIODES INC. - DMP2039UFDE4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 7.3 A, 0.019 ohm, X2-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 690mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2039UFDE4-7 DMP2039UFDE4-7 Diodes Incorporated DMP2039UFDE4.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 X2-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 2968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2039UFDE4-7 DMP2039UFDE4-7 DIODES INC. DMP2039UFDE4.pdf Description: DIODES INC. - DMP2039UFDE4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 7.3 A, 0.019 ohm, X2-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 690mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2039UFDE4-7 DMP2039UFDE4.pdf
DMP2039UFDE4-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 25V 7.3A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerXDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN2020-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 15 V
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+45.72 грн
11+29.62 грн
100+20.21 грн
500+14.95 грн
1000+13.62 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2039UFDE4-7 DMP2039UFDE4.pdf
DMP2039UFDE4-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2039UFDE4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 7.3 A, 0.019 ohm, X2-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 690mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2039UFDE4-7 DMP2039UFDE4.pdf
DMP2039UFDE4-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 X2-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 2968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2039UFDE4-7 DMP2039UFDE4.pdf
DMP2039UFDE4-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2039UFDE4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 7.3 A, 0.019 ohm, X2-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 690mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.