Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP2040USS-13 Diodes Zetex
Description: MOSFET P-CH 20V 7A/15A 8SO T&R 2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 8.9A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 834 pF @ 10 V.
Інші пропозиції DMP2040USS-13 за ціною від 7.57 грн до 44.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP2040USS-13 | Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET P-CH 20V 7A/15A 8SO T&R 2Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 8.9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 834 pF @ 10 V |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMP2040USS-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 7A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMP2040USS-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 7A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMP2040USS-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.5A; Idm: -30A; 1.9W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -30A Drain-source voltage: -20V Drain current: -5.5A Gate charge: 19nC On-state resistance: 52mΩ Power dissipation: 1.9W Gate-source voltage: ±12V Kind of package: 13 inch reel; tape |
на замовлення 2368 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMP2040USS-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 7A/15A 8SO T&R 2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 8.9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 834 pF @ 10 V |
на замовлення 17651 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMP2040USS-13 | Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SO-8 T&R 2.5K |
на замовлення 7246 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DMP2040USS-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 7A/15A 8SO T&R 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 8.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 834 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 7A/15A 8SO T&R 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 8.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 834 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 10.28 грн |
| 5000+ | 9.02 грн |
| 7500+ | 8.57 грн |
| 12500+ | 7.57 грн |
| DMP2040USS-13 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 20V 7A 8-Pin SO T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 10.32 грн |
| 5000+ | 10.22 грн |
| DMP2040USS-13 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 20V 7A 8-Pin SO T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 14.92 грн |
| DMP2040USS-13 |
|
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.5A; Idm: -30A; 1.9W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -30A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.5A
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 52mΩ
Power dissipation: 1.9W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.5A; Idm: -30A; 1.9W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -30A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.5A
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 52mΩ
Power dissipation: 1.9W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 13 inch reel; tape
на замовлення 2368 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 39.38 грн |
| 19+ | 23.02 грн |
| 50+ | 17.20 грн |
| 100+ | 15.04 грн |
| 500+ | 10.80 грн |
| 1000+ | 9.22 грн |
| DMP2040USS-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 7A/15A 8SO T&R 2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 8.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 834 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 7A/15A 8SO T&R 2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 8.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 834 pF @ 10 V
на замовлення 17651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 44.27 грн |
| 12+ | 26.10 грн |
| 100+ | 16.71 грн |
| 500+ | 11.86 грн |
| 1000+ | 10.63 грн |
| DMP2040USS-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SO-8 T&R 2.5K
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 7246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)