DMP2040UVT-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 8.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 834 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.99 грн |
| 6000+ | 7.00 грн |
| 9000+ | 6.65 грн |
| 15000+ | 5.88 грн |
| 21000+ | 5.66 грн |
| 30000+ | 5.44 грн |
| 75000+ | 5.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP2040UVT-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V TSOT26, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 8.9A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TSOT-26, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 834 pF @ 10 V.
Інші пропозиції DMP2040UVT-7 за ціною від 6.16 грн до 38.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMP2040UVT-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V TSOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 8.9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 834 pF @ 10 V |
на замовлення 919995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP2040UVT-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V |
на замовлення 3205 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|