Продукція > DIODES INCORPORATED > DMP2043UCA3-7
DMP2043UCA3-7

DMP2043UCA3-7 Diodes Incorporated

DMP2043UCA3.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A X2DSN1010-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DSN1010-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
на замовлення 95000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+13.51 грн
15000+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 5000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP2043UCA3-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A X2DSN1010-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 650mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: X2-DSN1010-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): -20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V.

Інші пропозиції DMP2043UCA3-7 за ціною від 22.11 грн до 61.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMP2043UCA3-7 DMP2043UCA3-7 Diodes Incorporated DMP2043UCA3.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A X2DSN1010-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DSN1010-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
на замовлення 98268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.14 грн
10+36.53 грн
25+30.49 грн
50+25.10 грн
100+22.11 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2043UCA3-7 DMP2043UCA3-7 Diodes Incorporated DMP2043UCA3.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2043UCA3-7 DMP2043UCA3.pdf
DMP2043UCA3-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A X2DSN1010-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DSN1010-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
на замовлення 98268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+61.14 грн
10+36.53 грн
25+30.49 грн
50+25.10 грн
100+22.11 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2043UCA3-7 DMP2043UCA3.pdf
DMP2043UCA3-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.