DMP2043UCA3-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A X2DSN1010-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DSN1010-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
на замовлення 510000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 10.61 грн |
| 10000+ | 9.40 грн |
| 15000+ | 8.98 грн |
| 25000+ | 7.99 грн |
| 35000+ | 7.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP2043UCA3-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A X2DSN1010-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 650mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: X2-DSN1010-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): -20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V.
Інші пропозиції DMP2043UCA3-7 за ціною від 9.51 грн до 49.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMP2043UCA3-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A X2DSN1010-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 650mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DSN1010-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V |
на замовлення 511358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMP2043UCA3-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V |
на замовлення 8428 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| DMP2043UCA3-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin X2-DSN T/R |
товару немає в наявності |