DMP2043UCA3-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A X2DSN1010-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: X2-DSN1010-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 10.11 грн |
| 10000+ | 8.96 грн |
| 15000+ | 8.56 грн |
| 25000+ | 7.62 грн |
| 35000+ | 7.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP2043UCA3-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A X2DSN1010-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): -20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Supplier Device Package: X2-DSN1010-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 650mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 3-XFDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції DMP2043UCA3-7 за ціною від 8.93 грн до 47.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMP2043UCA3-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V |
на замовлення 6018 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMP2043UCA3-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A X2DSN1010-3Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): -20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: X2-DSN1010-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 650mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-XFDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V |
на замовлення 511358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| DMP2043UCA3-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 47.26 грн |
| 11+ | 30.17 грн |
| 100+ | 16.88 грн |
| 500+ | 12.80 грн |
| 1000+ | 10.48 грн |
| 2500+ | 10.41 грн |
| 5000+ | 8.93 грн |
| DMP2043UCA3-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A X2DSN1010-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: X2-DSN1010-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A X2DSN1010-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: X2-DSN1010-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
на замовлення 511358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 47.47 грн |
| 11+ | 28.57 грн |
| 100+ | 18.37 грн |
| 500+ | 13.10 грн |
| 1000+ | 11.76 грн |
| 2000+ | 10.64 грн |



