Продукція > DIODES INCORPORATED > DMP2043UCA3-7
DMP2043UCA3-7

DMP2043UCA3-7 Diodes Incorporated

DMP2043UCA3.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A X2DSN1010-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: X2-DSN1010-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 510000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+9.90 грн
10000+8.77 грн
15000+8.39 грн
25000+7.46 грн
35000+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP2043UCA3-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A X2DSN1010-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): -20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Supplier Device Package: X2-DSN1010-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 650mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 3-XFDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції DMP2043UCA3-7 за ціною від 10.42 грн до 46.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMP2043UCA3-7 DMP2043UCA3-7 Diodes Incorporated DMP2043UCA3.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A X2DSN1010-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: X2-DSN1010-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
на замовлення 511358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.49 грн
11+27.98 грн
100+17.99 грн
500+12.83 грн
1000+11.52 грн
2000+10.42 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2043UCA3-7 DMP2043UCA3-7 Diodes Incorporated DMP2043UCA3.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2043UCA3-7 DMP2043UCA3.pdf
DMP2043UCA3-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A X2DSN1010-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: X2-DSN1010-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 10 V
на замовлення 511358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+46.49 грн
11+27.98 грн
100+17.99 грн
500+12.83 грн
1000+11.52 грн
2000+10.42 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2043UCA3-7 DMP2043UCA3.pdf
DMP2043UCA3-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.