на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 46+ | 13.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP2060UFDB-7 Diodes Zetex
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.4W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 881pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 8V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B).
Інші пропозиції DMP2060UFDB-7 за ціною від 14.39 грн до 92.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMP2060UFDB-7 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A 6-Pin UDFN EP T/R |
на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMP2060UFDB-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 881pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) |
на замовлення 2075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMP2060UFDB-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 881pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| DMP2060UFDB-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET 20V Dual P-Ch Enh 12Vgs -1.4W 884pF |
товару немає в наявності |