DMP2065UQ-7

DMP2065UQ-7 Diodes Incorporated


DMP2065UQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.87 грн
6000+7.41 грн
9000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP2065UQ-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMP2065UQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.041 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMP2065UQ-7 за ціною від 6.20 грн до 38.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMP2065UQ-7 DMP2065UQ-7 Виробник : DIODES INC. DMP2065UQ.pdf Description: DIODES INC. - DMP2065UQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.041 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+10.08 грн
1000+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UQ-7 DMP2065UQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMP2065UQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.99 грн
13+24.34 грн
100+12.27 грн
500+10.21 грн
1000+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UQ-7 DMP2065UQ-7 Виробник : DIODES INC. DMP2065UQ.pdf Description: DIODES INC. - DMP2065UQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.041 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+38.09 грн
32+26.80 грн
100+12.04 грн
500+10.08 грн
1000+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0012955834_1-2513152.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+38.55 грн
13+26.78 грн
100+10.51 грн
1000+8.17 грн
3000+7.03 грн
9000+6.28 грн
24000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UQ-7 DMP2065UQ-7 Виробник : Diodes Inc dmp2065uq.pdf 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.