DMP2066LSN-7 Diodes Incorporated


ds31467.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 4.6A SC59-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SC-59-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 297000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+10.47 грн
6000+9.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP2066LSN-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 20V 4.6A SC59-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Supplier Device Package: SC-59-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.6A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції DMP2066LSN-7 за ціною від 9.07 грн до 54.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMP2066LSN-7 DMP2066LSN-7 Diodes Incorporated ds31467.pdf MOSFETs P-channel 1.25W
на замовлення 14914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.86 грн
11+31.22 грн
100+17.86 грн
500+13.64 грн
1000+12.10 грн
3000+9.07 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LSN-7 DMP2066LSN-7 Diodes Incorporated ds31467.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.6A SC59-3
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SC-59-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 300066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.59 грн
10+32.38 грн
100+20.84 грн
500+14.89 грн
1000+13.39 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LSN-7 ds31467.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs P-channel 1.25W
на замовлення 14914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+45.86 грн
11+31.22 грн
100+17.86 грн
500+13.64 грн
1000+12.10 грн
3000+9.07 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LSN-7 ds31467.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 4.6A SC59-3
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SC-59-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 300066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+54.59 грн
10+32.38 грн
100+20.84 грн
500+14.89 грн
1000+13.39 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.