DMP2067LVT-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT26
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 8.54 грн |
| 6000+ | 7.88 грн |
| 9000+ | 7.09 грн |
| 30000+ | 6.56 грн |
| 75000+ | 6.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP2067LVT-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT26, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 8 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TSOT-26, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.5A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції DMP2067LVT-7 за ціною від 6.19 грн до 31.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP2067LVT-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V |
на замовлення 1455 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP2067LVT-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT26 Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: TSOT-26 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 8 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V |
на замовлення 231442 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|