DMP2067LVT-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT26
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.46 грн |
| 6000+ | 7.81 грн |
| 9000+ | 7.02 грн |
| 30000+ | 6.49 грн |
| 75000+ | 6.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP2067LVT-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMP2067LVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.022 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 1.2W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm.
Інші пропозиції DMP2067LVT-7 за ціною від 8.30 грн до 31.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP2067LVT-7 | Diodes Zetex |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
на замовлення 231000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DMP2067LVT-7 | Diodes Zetex |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
на замовлення 231000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DMP2067LVT-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT26 Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: TSOT-26 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 8 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V |
на замовлення 231442 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
DMP2067LVT-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V |
на замовлення 1455 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
DMP2067LVT-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2067LVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.022 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 1.2W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm |
на замовлення 1850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
DMP2067LVT-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2067LVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.022 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 1.2W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm |
на замовлення 1850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMP2067LVT-7 |
|
Виробник: Diodes Zetex
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 231000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.59 грн |
| DMP2067LVT-7 |
|
Виробник: Diodes Zetex
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 231000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.59 грн |
| DMP2067LVT-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT26
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT26
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
на замовлення 231442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 31.35 грн |
| 13+ | 23.40 грн |
| 100+ | 14.05 грн |
| 500+ | 12.21 грн |
| 1000+ | 8.30 грн |
| DMP2067LVT-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DMP2067LVT-7 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2067LVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.022 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
Description: DIODES INC. - DMP2067LVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.022 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMP2067LVT-7 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2067LVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.022 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
Description: DIODES INC. - DMP2067LVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.022 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)