DMP2069UFY4-7

DMP2069UFY4-7 Diodes Incorporated


ds31949.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A DFN2015H4-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2015H4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 214 pF @ 10 V
на замовлення 204000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.07 грн
6000+9.59 грн
9000+9.41 грн
15000+8.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP2069UFY4-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMP2069UFY4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.036 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 530mW, Bauform - Transistor: X2-DFN2015, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DMP2069UFY4-7 за ціною від 8.67 грн до 39.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMP2069UFY4-7 DMP2069UFY4-7 Виробник : DIODES INC. DIODS21665-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP2069UFY4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.036 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 530mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+20.47 грн
500+14.87 грн
1000+12.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2069UFY4-7 DMP2069UFY4-7 Виробник : Diodes Incorporated DIODS21665_1-2541771.pdf MOSFETs MOSFET P-CHAN.
на замовлення 23980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.38 грн
12+26.46 грн
100+15.64 грн
500+12.22 грн
1000+10.79 грн
3000+8.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2069UFY4-7 DMP2069UFY4-7 Виробник : Diodes Incorporated ds31949.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A DFN2015H4-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2015H4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 214 pF @ 10 V
на замовлення 206290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+34.56 грн
12+26.78 грн
100+18.22 грн
500+13.41 грн
1000+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2069UFY4-7 DMP2069UFY4-7 Виробник : DIODES INC. DIODS21665-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP2069UFY4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.036 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 530mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+39.03 грн
25+32.90 грн
100+20.47 грн
500+14.87 грн
1000+12.02 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.