DMP2069UFY4-7 Diodes Incorporated


ds31949.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A DFN2015H4-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 214 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: DFN2015H4-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 204000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+10.38 грн
6000+9.88 грн
9000+9.70 грн
15000+8.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP2069UFY4-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A DFN2015H4-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 214 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Supplier Device Package: DFN2015H4-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 3-XFDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції DMP2069UFY4-7 за ціною від 8.93 грн до 35.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMP2069UFY4-7 DMP2069UFY4-7 Diodes Incorporated DIODS21665_1-2541771.pdf MOSFETs MOSFET P-CHAN.
на замовлення 23980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.38 грн
12+27.25 грн
100+16.10 грн
500+12.59 грн
1000+11.11 грн
3000+8.93 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2069UFY4-7 DMP2069UFY4-7 Diodes Incorporated ds31949.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A DFN2015H4-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 214 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: DFN2015H4-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 206290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.60 грн
12+27.58 грн
100+18.76 грн
500+13.81 грн
1000+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2069UFY4-7 DIODS21665_1-2541771.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET P-CHAN.
на замовлення 23980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
10+34.38 грн
12+27.25 грн
100+16.10 грн
500+12.59 грн
1000+11.11 грн
3000+8.93 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2069UFY4-7 ds31949.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A DFN2015H4-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 214 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: DFN2015H4-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 206290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+35.60 грн
12+27.58 грн
100+18.76 грн
500+13.81 грн
1000+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.