
DMP2075UFDB-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 564000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 8.07 грн |
6000+ | 7.57 грн |
9000+ | 7.20 грн |
15000+ | 6.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP2075UFDB-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 700mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.9A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B), Part Status: Active.
Інші пропозиції DMP2075UFDB-7 за ціною від 7.12 грн до 45.63 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DMP2075UFDB-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 771000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMP2075UFDB-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMP2075UFDB-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMP2075UFDB-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 2819 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMP2075UFDB-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 2819 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMP2075UFDB-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Part Status: Active |
на замовлення 577217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMP2075UFDB-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 74374 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DMP2075UFDB-7 | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
![]() |
DMP2075UFDB-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
DMP2075UFDB-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -3A; Idm: -25A; 1.4W Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 On-state resistance: 137mΩ Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -25A Drain-source voltage: -20V Drain current: -3A Gate charge: 15nC Power dissipation: 1.4W Gate-source voltage: ±8V Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
DMP2075UFDB-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -3A; Idm: -25A; 1.4W Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 On-state resistance: 137mΩ Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -25A Drain-source voltage: -20V Drain current: -3A Gate charge: 15nC Power dissipation: 1.4W Gate-source voltage: ±8V Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |