DMP2075UFDB-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 12.13 грн |
| 6000+ | 10.69 грн |
| 9000+ | 10.19 грн |
| 15000+ | 9.03 грн |
| 21000+ | 8.72 грн |
| 30000+ | 8.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP2075UFDB-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 700mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.9A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B), Part Status: Active.
Інші пропозиції DMP2075UFDB-7 за ціною від 8.86 грн до 51.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMP2075UFDB-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V |
на замовлення 70080 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DMP2075UFDB-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Part Status: Active |
на замовлення 338774 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| DMP2075UFDB-7 | Diodes INC. |
Транзистор польовий 2P, Udss, В = 20, Id = 3,8 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 642 @ 10, Qg, нКл = 8,8, Rds = 75 мОм, Ugs(th) = 1,4, Р, Вт = 0,7, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: UDFN-6 (Exp. Pad) Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| DMP2075UFDB-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 70080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.60 грн |
| 14+ | 24.26 грн |
| 100+ | 13.29 грн |
| 500+ | 8.86 грн |
| DMP2075UFDB-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 338774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 51.43 грн |
| 10+ | 31.01 грн |
| 100+ | 19.95 грн |
| 500+ | 14.25 грн |
| 1000+ | 12.80 грн |
| DMP2075UFDB-7 |
![]() |
Виробник: Diodes INC.
Транзистор польовий 2P, Udss, В = 20, Id = 3,8 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 642 @ 10, Qg, нКл = 8,8, Rds = 75 мОм, Ugs(th) = 1,4, Р, Вт = 0,7, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: UDFN-6 (Exp. Pad) Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
Транзистор польовий 2P, Udss, В = 20, Id = 3,8 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 642 @ 10, Qg, нКл = 8,8, Rds = 75 мОм, Ugs(th) = 1,4, Р, Вт = 0,7, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: UDFN-6 (Exp. Pad) Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 19.38 грн |


