Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP2100UFU-7 Diodes Zetex
Description: MOSFET 2P-CH 20V 5.7A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Drain, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 900mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 906pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B), Part Status: Active.
Інші пропозиції DMP2100UFU-7 за ціною від 13.07 грн до 19.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMP2100UFU-7 | Diodes Zetex |
Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
DMP2100UFU-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -4.1A; 0.9W; U-DFN2030-6 Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Version: ESD Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET x2 Drain-source voltage: -20V Drain current: -4.1A On-state resistance: 75mΩ Power dissipation: 0.9W Gate-source voltage: ±10V Kind of package: 7 inch reel; tape Case: U-DFN2030-6 |
на замовлення 1478 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||
|
DMP2100UFU-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs Dual P-Ch Enh FET 20Vdss 10Vgss 0.9W |
на замовлення 3237 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DMP2100UFU-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 13.17 грн |
| DMP2100UFU-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -4.1A; 0.9W; U-DFN2030-6
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.1A
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 0.9W
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: U-DFN2030-6
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -4.1A; 0.9W; U-DFN2030-6
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.1A
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 0.9W
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: U-DFN2030-6
на замовлення 1478 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 19.60 грн |
| 500+ | 14.56 грн |
| 1000+ | 13.07 грн |
| DMP2100UFU-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs Dual P-Ch Enh FET 20Vdss 10Vgss 0.9W
MOSFETs Dual P-Ch Enh FET 20Vdss 10Vgss 0.9W
на замовлення 3237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)





