Технічний опис DMP2100UQ-7 Diodes Zetex
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 216 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMP2100UQ-7 за ціною від 4.57 грн до 31.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP2100UQ-7 | Diodes Zetex |
 Trans MOSFET P-CH 20V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 396000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMP2100UQ-7 | DIODES/ZETEX |
P-MOSFET -20V -4A DMP2100UQ-7 Diodes TDMP2100uq кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 180 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMP2100UQ-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.4A; 0.8W; SOT23; ESD Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Version: ESD Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -20V Drain current: -3.4A On-state resistance: 75mΩ Power dissipation: 0.8W Gate-source voltage: ±10V Kind of package: 7 inch reel; tape Application: automotive industry Case: SOT23 |
на замовлення 2255 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMP2100UQ-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 216 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMP2100UQ-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23 T&R 3K |
на замовлення 3437 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DMP2100UQ-7 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 20V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 396000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3093+ | 4.57 грн |
| DMP2100UQ-7 |
|
на замовлення 180 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 5.74 грн |
| DMP2100UQ-7 |
|
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.4A; 0.8W; SOT23; ESD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.4A
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 0.8W
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Case: SOT23
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.4A; 0.8W; SOT23; ESD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.4A
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 0.8W
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Case: SOT23
на замовлення 2255 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 25.00 грн |
| 29+ | 14.76 грн |
| 36+ | 11.77 грн |
| 100+ | 8.62 грн |
| 500+ | 6.38 грн |
| 1000+ | 5.80 грн |
| DMP2100UQ-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 216 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 216 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 31.00 грн |
| 17+ | 18.36 грн |
| 100+ | 11.62 грн |
| 500+ | 8.15 грн |
| 1000+ | 7.26 грн |
| DMP2100UQ-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23 T&R 3K
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 3437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)