Продукція > DIODES INCORPORATED > DMP2110U-7
DMP2110U-7

DMP2110U-7 Diodes Incorporated

DMP2110U.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
FET Type: P-Channel
на замовлення 363000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.83 грн
6000+5.49 грн
9000+4.86 грн
30000+4.51 грн
75000+3.83 грн
150000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP2110U-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-23-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.8A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), FET Type: P-Channel.

Інші пропозиції DMP2110U-7 за ціною від 5.89 грн до 26.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMP2110U-7 DMP2110U-7 Diodes Incorporated DMP2110U.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
на замовлення 364370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.35 грн
17+18.06 грн
100+9.10 грн
500+7.57 грн
1000+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110U-7 DMP2110U-7 Diodes Incorporated DMP2110U.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110U-7 DMP2110U.pdf
DMP2110U-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
на замовлення 364370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+26.35 грн
17+18.06 грн
100+9.10 грн
500+7.57 грн
1000+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110U-7 DMP2110U.pdf
DMP2110U-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.