DMP2110UFDB-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 820mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 6.44 грн |
| 20000+ | 5.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP2110UFDB-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 820mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.8A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7nC @ 8V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B), Part Status: Active.
Інші пропозиції DMP2110UFDB-13 за ціною від 6.38 грн до 6.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMP2110UFDB-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| DMP2110UFDB-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 10K |
товару немає в наявності |