DMP2110UFDB-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 820mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.54 грн |
| 6000+ | 6.66 грн |
| 9000+ | 6.36 грн |
| 15000+ | 5.64 грн |
| 21000+ | 5.45 грн |
| 30000+ | 5.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP2110UFDB-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMP2110UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.075 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.075ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.14W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.075ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.14W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DMP2110UFDB-7 за ціною від 6.39 грн до 33.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP2110UFDB-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2110UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.075 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.075ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.14W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.075ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.14W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
DMP2110UFDB-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2110UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.075 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.075ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.14W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.075ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.14W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||
| DMP2110UFDB-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| DMP2110UFDB-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 3K |
товару немає в наявності |