DMP2110UFDBQ-7

DMP2110UFDBQ-7 Diodes Incorporated


DMP2110UFDBQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP2110UFDBQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.8A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMP2110UFDBQ-7 за ціною від 7.11 грн до 45.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMP2110UFDBQ-7 DMP2110UFDBQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMP2110UFDBQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.96 грн
12+26.23 грн
100+16.71 грн
500+11.85 грн
1000+10.61 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UFDBQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmp2110ufdbq.pdf P-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UFDBQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0012955877_1-2513125.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 2632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.04 грн
13+27.54 грн
100+11.83 грн
1000+10.59 грн
3000+7.98 грн
9000+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UFDBQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmp2110ufdbq.pdf P-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.