DMP2110UVT-13

DMP2110UVT-13 Diodes Incorporated


DMP2110UVT.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.8A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 740mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+5.44 грн
Мінімальне замовлення: 10000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP2110UVT-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.8A TSOT26, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 740mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443pF @ 6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: TSOT-26.

Інші пропозиції DMP2110UVT-13

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMP2110UVT-13 Виробник : Diodes Inc dmp2110uvt.pdf Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMP2110UVT-13 DMP2110UVT-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP2110UVT.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -1.4A; Idm: -15A; 740mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.4A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 0.74W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMP2110UVT-13 DMP2110UVT-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0006156139_1-2542874.pdf MOSFET 20V P-CH MOSFET
товар відсутній
DMP2110UVT-13 DMP2110UVT-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMP2110UVT.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -1.4A; Idm: -15A; 740mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.4A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 0.74W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній