Продукція > DIODES INCORPORATED > DMP2110UVTQ-7
DMP2110UVTQ-7

DMP2110UVTQ-7 Diodes Incorporated

DMP2110UVTQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.8A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 740mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 429000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.11 грн
6000+9.33 грн
9000+8.40 грн
30000+7.76 грн
75000+7.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP2110UVTQ-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMP2110UVTQ-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.8 A, 1.8 A, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.15ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 740mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 740mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції DMP2110UVTQ-7 за ціною від 9.92 грн до 37.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMP2110UVTQ-7 DMP2110UVTQ-7 Diodes Incorporated DMP2110UVTQ.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.8A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 740mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 431955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.20 грн
11+27.98 грн
100+16.80 грн
500+14.59 грн
1000+9.92 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UVTQ-7 DMP2110UVTQ-7 Diodes Incorporated DMP2110UVTQ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V TSOT26 T&R 3K
на замовлення 4768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UVTQ-7 DMP2110UVTQ-7 DIODES INC. DIOD-S-A0009189205-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: DIODES INC. - DMP2110UVTQ-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.8 A, 1.8 A
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.15ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 740mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 740mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UVTQ-7 DMP2110UVTQ-7 DIODES INC. DMP2110UVTQ.pdf Description: DIODES INC. - DMP2110UVTQ-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.8 A, 1.8 A
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.15ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 740mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 740mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UVTQ-7 DMP2110UVTQ.pdf
DMP2110UVTQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.8A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 740mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 431955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+37.20 грн
11+27.98 грн
100+16.80 грн
500+14.59 грн
1000+9.92 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UVTQ-7 DMP2110UVTQ.pdf
DMP2110UVTQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V TSOT26 T&R 3K
на замовлення 4768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UVTQ-7 DIOD-S-A0009189205-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
DMP2110UVTQ-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2110UVTQ-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.8 A, 1.8 A
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.15ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 740mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 740mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UVTQ-7 DMP2110UVTQ.pdf
DMP2110UVTQ-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2110UVTQ-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.8 A, 1.8 A
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.15ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 740mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 740mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.