Продукція > DIODES INCORPORATED > DMP2110UW-13
DMP2110UW-13

DMP2110UW-13 Diodes Incorporated

DMP2110UW.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 2A SOT323
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 490mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+4.98 грн
20000+4.39 грн
30000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP2110UW-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 20V 2A SOT323, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 6 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Supplier Device Package: SOT-323, Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Power Dissipation (Max): 490mW, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-70, SOT-323, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції DMP2110UW-13

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMP2110UW-13 DMP2110UW-13 Виробник : Diodes Incorporated DMP2110UW.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.