DMP2110UW-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 2A SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 6 V
Description: MOSFET P-CH 20V 2A SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 6 V
на замовлення 390000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 5.36 грн |
6000+ | 4.93 грн |
9000+ | 4.27 грн |
30000+ | 3.93 грн |
75000+ | 3.25 грн |
150000+ | 3.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP2110UW-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMP2110UW-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.063 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 490mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції DMP2110UW-7 за ціною від 3.87 грн до 38.2 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DMP2110UW-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2110UW-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.063 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 490mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMP2110UW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 2A SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 6 V |
на замовлення 393971 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMP2110UW-7 | Виробник : Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R 3K |
на замовлення 8994 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMP2110UW-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2110UW-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.063 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 490mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMP2110UW-7 | Виробник : Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-323 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
DMP2110UW-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; Idm: -15A; 650mW Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.6A Pulsed drain current: -15A Power dissipation: 0.65W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: SMD Gate charge: 6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
DMP2110UW-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; Idm: -15A; 650mW Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.6A Pulsed drain current: -15A Power dissipation: 0.65W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: SMD Gate charge: 6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |