DMP2123LQ-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 8.24 грн |
| 6000+ | 7.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP2123LQ-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 16 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Supplier Device Package: SOT-23-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.5A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції DMP2123LQ-7 за ціною від 6.63 грн до 44.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMP2123LQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 16 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 13791 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMP2123LQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs P-Ch -20V Enh FET 12Vgss -15A 1.4W |
на замовлення 6704 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
