DMP2123LQ-7 Diodes Incorporated


DMP2123LQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.13 грн
6000+7.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP2123LQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 16 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Supplier Device Package: SOT-23-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.5A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції DMP2123LQ-7 за ціною від 10.13 грн до 41.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMP2123LQ-7 DMP2123LQ-7 Diodes Incorporated DMP2123LQ.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.85 грн
13+24.85 грн
100+13.70 грн
500+11.31 грн
1000+10.13 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2123LQ-7 DMP2123LQ-7 Diodes Incorporated DMP2123LQ.pdf MOSFETs P-Ch -20V Enh FET 12Vgss -15A 1.4W
на замовлення 6704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2123LQ-7 DMP2123LQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.85 грн
13+24.85 грн
100+13.70 грн
500+11.31 грн
1000+10.13 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2123LQ-7 DMP2123LQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs P-Ch -20V Enh FET 12Vgss -15A 1.4W
на замовлення 6704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.