Технічний опис DMP2123LQ-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMP2123LQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.051 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.25V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.4W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMP2123LQ-7 за ціною від 5.63 грн до 41.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP2123LQ-7 | Diodes Zetex |
 Trans MOSFET P-CH 20V 3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
DMP2123LQ-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 16 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DMP2123LQ-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 309000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DMP2123LQ-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DMP2123LQ-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 16 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 13791 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
DMP2123LQ-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs P-Ch -20V Enh FET 12Vgss -15A 1.4W |
на замовлення 6704 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
DMP2123LQ-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2123LQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.051 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.25V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
DMP2123LQ-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2123LQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.051 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.25V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMP2123LQ-7 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 20V 3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.21 грн |
| 6000+ | 6.14 грн |
| 9000+ | 5.93 грн |
| 30000+ | 5.63 грн |
| DMP2123LQ-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.11 грн |
| 6000+ | 7.28 грн |
| DMP2123LQ-7 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 20V 3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 309000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.88 грн |
| DMP2123LQ-7 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 20V 3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.88 грн |
| DMP2123LQ-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 41.75 грн |
| 13+ | 24.79 грн |
| 100+ | 13.67 грн |
| 500+ | 11.28 грн |
| 1000+ | 10.11 грн |
| DMP2123LQ-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs P-Ch -20V Enh FET 12Vgss -15A 1.4W
MOSFETs P-Ch -20V Enh FET 12Vgss -15A 1.4W
на замовлення 6704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DMP2123LQ-7 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2123LQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.051 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMP2123LQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.051 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMP2123LQ-7 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2123LQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.051 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMP2123LQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.051 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)