на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 10.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP2130LDM-7 Diodes Zetex
Description: MOSFET P-CH 20V 3.4A SOT-26, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.25W, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-26, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 16 V.
Інші пропозиції DMP2130LDM-7 за ціною від 8.23 грн до 45.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP2130LDM-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET P-CH 20V 3.4A SOT-26Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 16 V |
на замовлення 132000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP2130LDM-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs P-Channel |
на замовлення 2735 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP2130LDM-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 3.4A SOT-26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 16 V |
на замовлення 134840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP2130LDM-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.4A 6-Pin SOT-563 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
DMP2130LDM-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.4A 6-Pin SOT-563 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DMP2130LDM-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.4A 6-Pin SOT-563 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
DMP2130LDM-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.7A; 1.25W; SOT26 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Case: SOT26 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.7A On-state resistance: 0.13Ω Power dissipation: 1.25W Gate-source voltage: ±12V Kind of package: 7 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DMP2130LDM-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.7A; 1.25W; SOT26 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Case: SOT26 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.7A On-state resistance: 0.13Ω Power dissipation: 1.25W Gate-source voltage: ±12V Kind of package: 7 inch reel; tape |
товару немає в наявності |