DMP213DUFA-7B

DMP213DUFA-7B Diodes Incorporated


DMP213DUFA.pdf Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 25V P-Ch Enh FET 360pD -25Vdss -8Vgss
на замовлення 9940 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.77 грн
15+23.15 грн
100+11.42 грн
1000+5.86 грн
2500+5.05 грн
10000+4.03 грн
20000+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP213DUFA-7B Diodes Incorporated

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -125mA; Idm: -0.5A; 360mW, Mounting: SMD, Case: X2-DFN0806-3, Drain-source voltage: -25V, Drain current: -125mA, On-state resistance: 13Ω, Type of transistor: P-MOSFET, Power dissipation: 0.36W, Polarisation: unipolar, Kind of package: 7 inch reel; tape, Gate charge: 0.35nC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±8V, Pulsed drain current: -0.5A, кількість в упаковці: 10000 шт.

Інші пропозиції DMP213DUFA-7B

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMP213DUFA-7B DMP213DUFA-7B Виробник : Diodes Inc dmp213dufa.pdf Trans MOSFET P-CH 25V 0.166A 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP213DUFA-7B Виробник : DIODES INCORPORATED DMP213DUFA.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -125mA; Idm: -0.5A; 360mW
Mounting: SMD
Case: X2-DFN0806-3
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -125mA
On-state resistance: 13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 0.35nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -0.5A
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP213DUFA-7B DMP213DUFA-7B Виробник : Diodes Incorporated DMP213DUFA.pdf Description: MOSFET P-CH 25V 145MA 3DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP213DUFA-7B Виробник : DIODES INCORPORATED DMP213DUFA.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -125mA; Idm: -0.5A; 360mW
Mounting: SMD
Case: X2-DFN0806-3
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -125mA
On-state resistance: 13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 0.35nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -0.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.