Продукція > DIODES INCORPORATED > DMP213DUFA-7B

DMP213DUFA-7B Diodes Incorporated

Name: DMP213DUFA-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 146313-4
Price: 364.32 UAH
Availability: InStock

Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 25V P-Ch Enh FET 360pD -25Vdss -8Vgss

на замовлення 9940 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
12+	30.36 грн
16+	22.18 грн
100+	10.89 грн
500+	7.34 грн
1000+	5.60 грн
2500+	4.92 грн
5000+	4.31 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис DMP213DUFA-7B Diodes Incorporated

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -125mA; Idm: -0.5A; 360mW, Kind of channel: enhancement, Mounting: SMD, Type of transistor: P-MOSFET, Case: X2-DFN0806-3, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -25V, Pulsed drain current: -0.5A, Drain current: -125mA, Gate charge: 0.35nC, On-state resistance: 13Ω, Power dissipation: 0.36W, Gate-source voltage: ±8V, Kind of package: 7 inch reel; tape, кількість в упаковці: 10000 шт.

Інші пропозиції DMP213DUFA-7B

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
DMP213DUFA-7B	Виробник : Diodes Inc	Trans MOSFET P-CH 25V 0.166A 3-Pin X2-DFN T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
DMP213DUFA-7B	Виробник : DIODES INCORPORATED	Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -125mA; Idm: -0.5A; 360mW Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Case: X2-DFN0806-3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -25V Pulsed drain current: -0.5A Drain current: -125mA Gate charge: 0.35nC On-state resistance: 13Ω Power dissipation: 0.36W Gate-source voltage: ±8V Kind of package: 7 inch reel; tape кількість в упаковці: 10000 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
DMP213DUFA-7B	Виробник : Diodes Incorporated	Description: MOSFET P-CH 25V 145MA 3DFN	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
DMP213DUFA-7B	Виробник : DIODES INCORPORATED	Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -125mA; Idm: -0.5A; 360mW Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Case: X2-DFN0806-3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -25V Pulsed drain current: -0.5A Drain current: -125mA Gate charge: 0.35nC On-state resistance: 13Ω Power dissipation: 0.36W Gate-source voltage: ±8V Kind of package: 7 inch reel; tape	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.