DMP213DUFA-7B

DMP213DUFA-7B Diodes Incorporated


DMP213DUFA.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 25V P-Ch Enh FET 360pD -25Vdss -8Vgss
на замовлення 9940 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.98 грн
16+20.45 грн
100+10.04 грн
500+6.76 грн
1000+5.16 грн
2500+4.53 грн
5000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP213DUFA-7B Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 25V 145MA 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: X2-DFN0806-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V, Vgs (Max): -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.2 pF @ 10 V.

Інші пропозиції DMP213DUFA-7B

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMP213DUFA-7B DMP213DUFA-7B Виробник : Diodes Incorporated DMP213DUFA.pdf Description: MOSFET P-CH 25V 145MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.2 pF @ 10 V
на замовлення 290000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP213DUFA-7B Виробник : DIODES INCORPORATED DMP213DUFA.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -125mA; Idm: -0.5A; 360mW
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: X2-DFN0806-3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -25V
Pulsed drain current: -0.5A
Drain current: -125mA
Gate charge: 0.35nC
On-state resistance: 13Ω
Power dissipation: 0.36W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: 7 inch reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.