Інші пропозиції DMP2160UFDB-7 за ціною від 9.28 грн до 37.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMP2160UFDB-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFNSupplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.8A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 536pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 1.4W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 417000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DMP2160UFDB-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin DFN T/R |
на замовлення 360000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DMP2160UFDB-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFNSupplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.8A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 536pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 1.4W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 420134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DMP2160UFDB-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs 20V 3.8A DUAL P-CHAN |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
DMP2160UFDB-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2160UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.054 ohmtariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.054ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: UDFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.054ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
DMP2160UFDB-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2160UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.054 ohmtariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.054ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: UDFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.054ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMP2160UFDB-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.8A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 536pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.8A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 536pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 417000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.28 грн |
| DMP2160UFDB-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin DFN T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin DFN T/R
на замовлення 360000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.35 грн |
| DMP2160UFDB-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.8A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 536pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.8A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 536pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 420134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 37.89 грн |
| 13+ | 24.64 грн |
| 100+ | 16.75 грн |
| 500+ | 12.32 грн |
| 1000+ | 11.20 грн |
| DMP2160UFDB-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 20V 3.8A DUAL P-CHAN
MOSFETs 20V 3.8A DUAL P-CHAN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DMP2160UFDB-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2160UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.054 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.054ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.054ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - DMP2160UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.054 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.054ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.054ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMP2160UFDB-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2160UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.054 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.054ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.054ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - DMP2160UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.054 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.054ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.054ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






