DMP21D0UFB4-7B Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 770mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 495mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.54 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 5.07 грн |
| 20000+ | 4.47 грн |
| 30000+ | 4.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP21D0UFB4-7B Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMP21D0UFB4-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 770 mA, 0.495 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 770mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 430mW, Bauform - Transistor: X2-DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.495ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DMP21D0UFB4-7B за ціною від 4.42 грн до 30.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMP21D0UFB4-7B | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.17A 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMP21D0UFB4-7B | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.17A 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMP21D0UFB4-7B | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.17A 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMP21D0UFB4-7B | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.17A 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMP21D0UFB4-7B | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.17A 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 2765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMP21D0UFB4-7B | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.17A 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 2765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMP21D0UFB4-7B | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 770mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 495mOhm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 430mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.54 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 10 V |
на замовлення 2494522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMP21D0UFB4-7B | Diodes Incorporated |
MOSFETs 20V P-Ch ENH Mode 495mOhm -4.5V -0.77A |
на замовлення 59658 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
DMP21D0UFB4-7B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP21D0UFB4-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 770 mA, 0.495 ohm, X2-DFN1006, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 770mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 430mW Bauform - Transistor: X2-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.495ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
DMP21D0UFB4-7B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP21D0UFB4-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 770 mA, 0.495 ohm, X2-DFN1006, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 770mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 430mW Bauform - Transistor: X2-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.495ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 13 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMP21D0UFB4-7B |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 20V 1.17A 3-Pin X2-DFN T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 1.17A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 6.01 грн |
| 20000+ | 5.33 грн |
| 30000+ | 5.28 грн |
| 50000+ | 4.82 грн |
| 100000+ | 4.42 грн |
| DMP21D0UFB4-7B |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 20V 1.17A 3-Pin X2-DFN T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 1.17A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 6.01 грн |
| 20000+ | 5.33 грн |
| 30000+ | 5.28 грн |
| 50000+ | 4.82 грн |
| 100000+ | 4.42 грн |
| DMP21D0UFB4-7B |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 20V 1.17A 3-Pin X2-DFN T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 1.17A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 6.68 грн |
| DMP21D0UFB4-7B |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 20V 1.17A 3-Pin X2-DFN T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 1.17A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 6.68 грн |
| DMP21D0UFB4-7B |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 20V 1.17A 3-Pin X2-DFN T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 1.17A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 925+ | 10.14 грн |
| 1000+ | 6.75 грн |
| DMP21D0UFB4-7B |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 20V 1.17A 3-Pin X2-DFN T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 1.17A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1388+ | 10.17 грн |
| 2093+ | 6.75 грн |
| DMP21D0UFB4-7B |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 770mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 495mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.54 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 770mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 495mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.54 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 10 V
на замовлення 2494522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 30.15 грн |
| 17+ | 17.57 грн |
| 100+ | 11.07 грн |
| 500+ | 7.75 грн |
| 1000+ | 6.89 грн |
| 2000+ | 6.17 грн |
| 5000+ | 5.30 грн |
| DMP21D0UFB4-7B |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 20V P-Ch ENH Mode 495mOhm -4.5V -0.77A
MOSFETs 20V P-Ch ENH Mode 495mOhm -4.5V -0.77A
на замовлення 59658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DMP21D0UFB4-7B |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP21D0UFB4-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 770 mA, 0.495 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 770mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.495ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMP21D0UFB4-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 770 mA, 0.495 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 770mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.495ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMP21D0UFB4-7B |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP21D0UFB4-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 770 mA, 0.495 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 770mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.495ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMP21D0UFB4-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 770 mA, 0.495 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 770mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.495ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




