на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 4.63 грн |
| 20000+ | 4.24 грн |
| 30000+ | 4.19 грн |
| 50000+ | 3.71 грн |
| 100000+ | 3.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP21D0UFB4-7B Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMP21D0UFB4-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 770 mA, 0.495 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 770mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 430mW, Bauform - Transistor: X2-DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.495ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції DMP21D0UFB4-7B за ціною від 3.66 грн до 30.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP21D0UFB4-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 770mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 495mOhm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 430mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.54 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 10 V |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP21D0UFB4-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.17A 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP21D0UFB4-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.17A 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP21D0UFB4-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.17A 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP21D0UFB4-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.17A 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 2765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP21D0UFB4-7B | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP21D0UFB4-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 770 mA, 0.495 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 770mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 430mW Bauform - Transistor: X2-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.495ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 9515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP21D0UFB4-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.17A 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 2765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP21D0UFB4-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 770mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 495mOhm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 430mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.54 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 10 V |
на замовлення 41609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP21D0UFB4-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET 20V P-Ch ENH Mode 495mOhm -4.5V -0.77A |
на замовлення 64833 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP21D0UFB4-7B | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP21D0UFB4-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 770 mA, 0.495 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 770mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 430mW Bauform - Transistor: X2-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.495ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 9515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|