DMP21D0UFB4-7R Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 770mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 495mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76.5 pF @ 10 V
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 28.58 грн |
| 17+ | 19.34 грн |
| 100+ | 9.78 грн |
| 500+ | 8.14 грн |
| 1000+ | 6.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP21D0UFB4-7R Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 770mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 495mOhm @ 400mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 430mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: X2-DFN1006-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76.5 pF @ 10 V.
Інші пропозиції DMP21D0UFB4-7R за ціною від 4.68 грн до 31.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMP21D0UFB4-7R | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-3 T&R 3K |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
DMP21D0UFB4-7R | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.17A 3-Pin X2-DFN T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DMP21D0UFB4-7R | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 770mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 495mOhm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 430mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76.5 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
