Продукція > DIODES INCORPORATED > DMP21D0UFD-7
DMP21D0UFD-7

DMP21D0UFD-7 Diodes Incorporated

DMP21D0UFD.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 820MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 495mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 10 V
на замовлення 2445000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.80 грн
6000+6.01 грн
9000+5.73 грн
15000+5.08 грн
21000+4.90 грн
30000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP21D0UFD-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMP21D0UFD-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.14 A, 0.495 ohm, X1-DFN1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 930mW, Bauform - Transistor: X1-DFN1212, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.495ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DMP21D0UFD-7 за ціною від 5.74 грн до 25.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMP21D0UFD-7 DMP21D0UFD-7 Diodes Zetex dmp21d0ufd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.14A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 204000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFD-7 DMP21D0UFD-7 Diodes Zetex dmp21d0ufd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.14A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 2304000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFD-7 DMP21D0UFD-7 Diodes Zetex dmp21d0ufd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.14A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 2439000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFD-7 DMP21D0UFD-7 Diodes Zetex dmp21d0ufd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.14A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.98 грн
6000+7.29 грн
12000+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFD-7 DMP21D0UFD-7 Diodes Zetex dmp21d0ufd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.14A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 402000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.78 грн
6000+8.69 грн
9000+7.91 грн
24000+7.14 грн
30000+6.54 грн
45000+6.27 грн
75000+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFD-7 DMP21D0UFD-7 Diodes Zetex dmp21d0ufd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.14A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 402000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.86 грн
6000+8.78 грн
9000+8.00 грн
24000+7.20 грн
30000+6.60 грн
45000+6.33 грн
75000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFD-7 DMP21D0UFD-7 Diodes Incorporated DMP21D0UFD.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 820MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 495mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 10 V
на замовлення 2445667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.52 грн
19+16.16 грн
100+10.89 грн
500+7.91 грн
1000+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFD-7 DMP21D0UFD-7 Diodes Incorporated DMP21D0UFD.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1212-3 T&R 3K
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFD-7 DMP21D0UFD-7 DIODES INC. DIODS14743-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP21D0UFD-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.14 A, 0.495 ohm, X1-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 930mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.495ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFD-7 DMP21D0UFD-7 DIODES INC. DIODS14743-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP21D0UFD-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.14 A, 0.495 ohm, X1-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 930mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.495ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFD-7 dmp21d0ufd.pdf
DMP21D0UFD-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 20V 1.14A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 204000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFD-7 dmp21d0ufd.pdf
DMP21D0UFD-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 20V 1.14A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 2304000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFD-7 dmp21d0ufd.pdf
DMP21D0UFD-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 20V 1.14A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 2439000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFD-7 dmp21d0ufd.pdf
DMP21D0UFD-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 20V 1.14A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.98 грн
6000+7.29 грн
12000+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFD-7 dmp21d0ufd.pdf
DMP21D0UFD-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 20V 1.14A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 402000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.78 грн
6000+8.69 грн
9000+7.91 грн
24000+7.14 грн
30000+6.54 грн
45000+6.27 грн
75000+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFD-7 dmp21d0ufd.pdf
DMP21D0UFD-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 20V 1.14A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 402000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.86 грн
6000+8.78 грн
9000+8.00 грн
24000+7.20 грн
30000+6.60 грн
45000+6.33 грн
75000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFD-7 DMP21D0UFD.pdf
DMP21D0UFD-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 820MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 495mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 10 V
на замовлення 2445667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.52 грн
19+16.16 грн
100+10.89 грн
500+7.91 грн
1000+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFD-7 DMP21D0UFD.pdf
DMP21D0UFD-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1212-3 T&R 3K
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFD-7 DIODS14743-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP21D0UFD-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP21D0UFD-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.14 A, 0.495 ohm, X1-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 930mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.495ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D0UFD-7 DIODS14743-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP21D0UFD-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP21D0UFD-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.14 A, 0.495 ohm, X1-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 930mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.495ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.