на замовлення 402000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP21D0UFD-7 Diodes Inc
Description: DIODES INC. - DMP21D0UFD-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.14 A, 0.495 ohm, X1-DFN1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 930mW, Bauform - Transistor: X1-DFN1212, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.495ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DMP21D0UFD-7 за ціною від 4.61 грн до 42.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP21D0UFD-7 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET P-CH 20V 1.14A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 2304000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP21D0UFD-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.14A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 2439000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP21D0UFD-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 820MA 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 495mOhm @ 800mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1212-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 10 V |
на замовлення 2445000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP21D0UFD-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.14A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 402000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP21D0UFD-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.14A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 402000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP21D0UFD-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP21D0UFD-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.14 A, 0.495 ohm, X1-DFN1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 930mW Bauform - Transistor: X1-DFN1212 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.495ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP21D0UFD-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 820MA 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 820mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 495mOhm @ 800mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1212-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 10 V |
на замовлення 2445667 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP21D0UFD-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1212-3 T&R 3K |
на замовлення 2030 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP21D0UFD-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP21D0UFD-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.14 A, 0.495 ohm, X1-DFN1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 930mW Bauform - Transistor: X1-DFN1212 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.495ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP21D0UFD-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.14A 3-Pin DFN T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| DMP21D0UFD-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMP21D0UFD-7 SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |