DMP21D5UFB4-7B Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 700MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 970mOhm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46.1 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 4.35 грн |
| 20000+ | 3.83 грн |
| 30000+ | 3.64 грн |
| 50000+ | 3.22 грн |
| 70000+ | 3.11 грн |
| 100000+ | 2.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP21D5UFB4-7B Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMP21D5UFB4-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 700 mA, 0.67 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 700mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 460mW, Bauform - Transistor: X2-DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.67ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DMP21D5UFB4-7B за ціною від 4.27 грн до 24.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMP21D5UFB4-7B | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 700MA 3DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46.1 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 5V Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 460mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 970mOhm @ 100mA, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-XFDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 150505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMP21D5UFB4-7B | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 10K |
на замовлення 54148 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
DMP21D5UFB4-7B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP21D5UFB4-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 700 mA, 0.67 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Bauform - Transistor: X2-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.67ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 9465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
DMP21D5UFB4-7B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP21D5UFB4-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 700 mA, 0.67 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Bauform - Transistor: X2-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.67ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 9465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMP21D5UFB4-7B |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 700MA 3DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46.1 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 5V
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 970mOhm @ 100mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 20V 700MA 3DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46.1 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 5V
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 970mOhm @ 100mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 150505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 24.80 грн |
| 21+ | 14.48 грн |
| 100+ | 9.07 грн |
| 500+ | 6.31 грн |
| 1000+ | 5.59 грн |
| 2000+ | 4.99 грн |
| 5000+ | 4.27 грн |
| DMP21D5UFB4-7B |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 10K
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 10K
на замовлення 54148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DMP21D5UFB4-7B |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP21D5UFB4-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 700 mA, 0.67 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.67ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMP21D5UFB4-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 700 mA, 0.67 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.67ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMP21D5UFB4-7B |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP21D5UFB4-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 700 mA, 0.67 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.67ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMP21D5UFB4-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 700 mA, 0.67 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.67ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)