на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 3.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP21D5UFB4-7B Diodes Inc
Description: DIODES INC. - DMP21D5UFB4-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 700 mA, 0.67 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 700mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 460mW, Bauform - Transistor: X2-DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.67ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMP21D5UFB4-7B за ціною від 3.18 грн до 26.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP21D5UFB4-7B | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET P-CH 20V 0.7A 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 570000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP21D5UFB4-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.7A 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP21D5UFB4-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.7A 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 2205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP21D5UFB4-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.7A 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP21D5UFB4-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.7A 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP21D5UFB4-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 700MA 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 970mOhm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 460mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46.1 pF @ 10 V |
на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP21D5UFB4-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.7A 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP21D5UFB4-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.7A 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP21D5UFB4-7B | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP21D5UFB4-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 700 mA, 0.67 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Bauform - Transistor: X2-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.67ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP21D5UFB4-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 10K |
на замовлення 66858 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP21D5UFB4-7B | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP21D5UFB4-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 700 mA, 0.67 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Bauform - Transistor: X2-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.67ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP21D5UFB4-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 700MA 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 970mOhm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 460mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46.1 pF @ 10 V |
на замовлення 150505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP21D5UFB4-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.7A 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 2205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
DMP21D5UFB4-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.7A 3-Pin X2-DFN T/R |
товару немає в наявності |