Продукція > DIODES INCORPORATED > DMP21D6UFB4-7B
DMP21D6UFB4-7B

DMP21D6UFB4-7B Diodes Incorporated

DMP21D6UFB4.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 580MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 580mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46.1 pF @ 10 V
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.90 грн
16+19.50 грн
100+11.70 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP21D6UFB4-7B Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 20V 580MA 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 580mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 100mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: X2-DFN1006-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46.1 pF @ 10 V.

Інші пропозиції DMP21D6UFB4-7B за ціною від 5.37 грн до 27.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMP21D6UFB4-7B DMP21D6UFB4-7B Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0006645021_1-2542764.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 17210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+27.60 грн
16+21.03 грн
100+9.80 грн
1000+6.39 грн
2500+6.17 грн
10000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D6UFB4-7B Виробник : Diodes Inc dmp21d6ufb4.pdf 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D6UFB4-7B Виробник : DIODES INCORPORATED DMP21D6UFB4.pdf DMP21D6UFB4-7B SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D6UFB4-7B DMP21D6UFB4-7B Виробник : Diodes Incorporated DMP21D6UFB4.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 580MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 580mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46.1 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.