Продукція > DIODES ZETEX > DMP21D6UFD-7
DMP21D6UFD-7

DMP21D6UFD-7 Diodes Zetex

125dmp21d6ufd.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 1626000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3887+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 3887 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP21D6UFD-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMP21D6UFD-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.7 ohm, X1-DFN1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 600mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: X1-DFN1212, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DMP21D6UFD-7 за ціною від 2.53 грн до 22.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMP21D6UFD-7 DMP21D6UFD-7 Diodes Incorporated DMP21D6UFD.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 600MA 3DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46.1 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1434000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.61 грн
6000+3.99 грн
9000+3.77 грн
15000+3.30 грн
21000+3.16 грн
30000+3.02 грн
75000+2.67 грн
150000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D6UFD-7 DMP21D6UFD-7 Diodes Incorporated DMP21D6UFD.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 600MA 3DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46.1 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1434727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.42 грн
23+12.96 грн
100+8.12 грн
500+5.63 грн
1000+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D6UFD-7 DMP21D6UFD-7 Diodes Incorporated DIOD_S_A0004145099_1-2542491.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 6637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D6UFD-7 DMP21D6UFD-7 DIODES INC. DIOD-S-A0004145099-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP21D6UFD-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.7 ohm, X1-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D6UFD-7 DMP21D6UFD-7 DIODES INC. DIOD-S-A0004145099-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP21D6UFD-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.7 ohm, X1-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D6UFD-7 DMP21D6UFD.pdf
DMP21D6UFD-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 600MA 3DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46.1 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1434000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.61 грн
6000+3.99 грн
9000+3.77 грн
15000+3.30 грн
21000+3.16 грн
30000+3.02 грн
75000+2.67 грн
150000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D6UFD-7 DMP21D6UFD.pdf
DMP21D6UFD-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 600MA 3DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46.1 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1434727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+22.42 грн
23+12.96 грн
100+8.12 грн
500+5.63 грн
1000+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D6UFD-7 DIOD_S_A0004145099_1-2542491.pdf
DMP21D6UFD-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 6637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D6UFD-7 DIOD-S-A0004145099-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP21D6UFD-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP21D6UFD-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.7 ohm, X1-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D6UFD-7 DIOD-S-A0004145099-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP21D6UFD-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP21D6UFD-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.7 ohm, X1-DFN1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1212
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.