Продукція > DIODES INCORPORATED > DMP21D6UFD-7
DMP21D6UFD-7

DMP21D6UFD-7 Diodes Incorporated

DMP21D6UFD.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 600MA 3DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46.1 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1434000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.62 грн
6000+4.00 грн
9000+3.78 грн
15000+3.31 грн
21000+3.16 грн
30000+3.03 грн
75000+2.68 грн
150000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP21D6UFD-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 20V 600MA 3DFN, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46.1 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 8 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Supplier Device Package: X1-DFN1212-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 400mW, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 100mA, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 3-UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції DMP21D6UFD-7 за ціною від 5.00 грн до 22.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMP21D6UFD-7 DMP21D6UFD-7 Diodes Incorporated DMP21D6UFD.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 600MA 3DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46.1 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1434727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.47 грн
23+12.98 грн
100+8.14 грн
500+5.65 грн
1000+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D6UFD-7 DMP21D6UFD-7 Diodes Incorporated DIOD_S_A0004145099_1-2542491.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 6637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D6UFD-7 DMP21D6UFD.pdf
DMP21D6UFD-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 600MA 3DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46.1 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1434727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+22.47 грн
23+12.98 грн
100+8.14 грн
500+5.65 грн
1000+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP21D6UFD-7 DIOD_S_A0004145099_1-2542491.pdf
DMP21D6UFD-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 6637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.