DMP21D6UFD-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 600MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46.1 pF @ 10 V
на замовлення 1563000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.16 грн |
| 6000+ | 3.83 грн |
| 9000+ | 3.31 грн |
| 30000+ | 3.05 грн |
| 75000+ | 2.53 грн |
| 150000+ | 2.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP21D6UFD-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 600MA 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-UDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 100mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 400mW, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: X1-DFN1212-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46.1 pF @ 10 V.
Інші пропозиції DMP21D6UFD-7 за ціною від 2.95 грн до 25.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP21D6UFD-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.25A; 0.4W; X1-DFN1212-3 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.25A Power dissipation: 0.4W Case: X1-DFN1212-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 2880 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP21D6UFD-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.25A; 0.4W; X1-DFN1212-3 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.25A Power dissipation: 0.4W Case: X1-DFN1212-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 2880 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP21D6UFD-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 600MA 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1212-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46.1 pF @ 10 V |
на замовлення 1565887 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP21D6UFD-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V |
на замовлення 10702 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|