на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 4.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP2200UDW-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMP2200UDW-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 900 mA, 900 mA, 0.18 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 900mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 900mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 600mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 600mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMP2200UDW-13 за ціною від 3.41 грн до 34.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP2200UDW-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.9A SOT363Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 450mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 184pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 |
на замовлення 170000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP2200UDW-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 8046 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP2200UDW-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 8046 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP2200UDW-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2200UDW-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 900 mA, 900 mA, 0.18 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 900mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 900mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm Verlustleistung, p-Kanal: 600mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 600mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 8625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP2200UDW-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.9A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 450mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 184pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 |
на замовлення 179628 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP2200UDW-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2200UDW-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 900 mA, 900 mA, 0.18 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 900mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 900mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm Verlustleistung, p-Kanal: 600mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 600mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 8625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMP2200UDW-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs Dual -20V P-Ch FET 260mOhm -4.5V -0.9A |
на замовлення 177487 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMP2200UDW-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 6-Pin SOT-363 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
DMP2200UDW-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 6-Pin SOT-363 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
DMP2200UDW-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -700mA; 600mW; SOT363 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.7A Power dissipation: 0.6W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.1nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |