DMP2200UDW-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.9A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 184pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 28.67 грн |
| 18+ | 16.94 грн |
| 100+ | 10.68 грн |
| 500+ | 7.46 грн |
| 1000+ | 6.63 грн |
| 2000+ | 5.94 грн |
| 5000+ | 5.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP2200UDW-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.9A SOT363, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Power - Max: 450mW, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 P-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Supplier Device Package: SOT-363, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 184pF @ 10V.
Інші пропозиції DMP2200UDW-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP2200UDW-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs Dual -20V P-Ch FET 260mOhm -4.5V -0.9A |
на замовлення 72084 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DMP2200UDW-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs Dual -20V P-Ch FET 260mOhm -4.5V -0.9A
MOSFETs Dual -20V P-Ch FET 260mOhm -4.5V -0.9A
на замовлення 72084 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)