Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP2200UDW-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMP2200UDW-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 900 mA, 900 mA, 0.18 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 900mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 900mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 600mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 600mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMP2200UDW-13 за ціною від 4.30 грн до 29.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMP2200UDW-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 8046 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMP2200UDW-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 8046 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMP2200UDW-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.9A SOT363Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 450mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 184pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 |
на замовлення 8627 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMP2200UDW-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs Dual -20V P-Ch FET 260mOhm -4.5V -0.9A |
на замовлення 69368 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
DMP2200UDW-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2200UDW-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 900 mA, 900 mA, 0.18 ohmtariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 900mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 900mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm Verlustleistung, p-Kanal: 600mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 600mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 8625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
DMP2200UDW-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2200UDW-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 900 mA, 900 mA, 0.18 ohmtariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 900mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 900mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm Verlustleistung, p-Kanal: 600mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 600mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 8625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMP2200UDW-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 6-Pin SOT-363 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 8046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2066+ | 4.60 грн |
| 3000+ | 4.45 грн |
| 6000+ | 4.30 грн |
| DMP2200UDW-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 6-Pin SOT-363 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 8046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3074+ | 4.60 грн |
| DMP2200UDW-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.9A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 184pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.9A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 184pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 8627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 29.45 грн |
| 18+ | 17.31 грн |
| 100+ | 10.92 грн |
| 500+ | 7.63 грн |
| 1000+ | 6.79 грн |
| 2000+ | 6.07 грн |
| 5000+ | 5.21 грн |
| DMP2200UDW-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs Dual -20V P-Ch FET 260mOhm -4.5V -0.9A
MOSFETs Dual -20V P-Ch FET 260mOhm -4.5V -0.9A
на замовлення 69368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DMP2200UDW-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2200UDW-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 900 mA, 900 mA, 0.18 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 900mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 600mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 600mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMP2200UDW-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 900 mA, 900 mA, 0.18 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 900mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 600mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 600mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMP2200UDW-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2200UDW-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 900 mA, 900 mA, 0.18 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 900mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 600mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 600mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMP2200UDW-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 900 mA, 900 mA, 0.18 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 900mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 600mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 600mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






