DMP2200UDW-13

DMP2200UDW-13 Diodes Incorporated


DMP2200UDW.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.9A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 184pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 170000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.64 грн
20000+3.20 грн
30000+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP2200UDW-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMP2200UDW-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 900 mA, 900 mA, 0.18 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 900mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 900mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 600mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 600mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMP2200UDW-13 за ціною від 3.40 грн до 30.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMP2200UDW-13 DMP2200UDW-13 Виробник : Diodes Zetex 55dmp2200udw.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2200UDW-13 DMP2200UDW-13 Виробник : Diodes Zetex 55dmp2200udw.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 8046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3074+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 3074
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2200UDW-13 DMP2200UDW-13 Виробник : Diodes Zetex 55dmp2200udw.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 8046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2066+4.49 грн
3000+4.34 грн
6000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 2066
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2200UDW-13 DMP2200UDW-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0000446053-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP2200UDW-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 900 mA, 900 mA, 0.18 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 900mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 600mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 600mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.51 грн
1000+4.54 грн
5000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2200UDW-13 DMP2200UDW-13 Виробник : Diodes Incorporated DMP2200UDW.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.9A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 184pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 179628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.47 грн
21+14.21 грн
100+8.87 грн
500+6.18 грн
1000+5.00 грн
2000+4.88 грн
5000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2200UDW-13 DMP2200UDW-13 Виробник : Diodes Incorporated DMP2200UDW.pdf MOSFETs Dual -20V P-Ch FET 260mOhm -4.5V -0.9A
на замовлення 177487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.50 грн
16+20.24 грн
100+7.27 грн
1000+4.42 грн
2500+4.15 грн
10000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2200UDW-13 DMP2200UDW-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0000446053-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP2200UDW-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 900 mA, 900 mA, 0.18 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 900mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 600mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 600mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+30.29 грн
38+21.09 грн
100+8.72 грн
500+6.51 грн
1000+4.54 грн
5000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2200UDW-13 DMP2200UDW-13 Виробник : Diodes Zetex 55dmp2200udw.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.