DMP22D4UFA-7B

DMP22D4UFA-7B Diodes Incorporated


DMP22D4UFA.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 330MA 3DFN0806H4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.7 pF @ 15 V
на замовлення 2890000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+8.25 грн
20000+7.36 грн
30000+7.05 грн
50000+6.59 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP22D4UFA-7B Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 20V 330MA 3DFN0806H4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: X2-DFN0806-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.7 pF @ 15 V.

Інші пропозиції DMP22D4UFA-7B за ціною від 7.39 грн до 44.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMP22D4UFA-7B DMP22D4UFA-7B Виробник : Diodes Zetex dmp22d4ufa.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.33A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+8.46 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP22D4UFA-7B DMP22D4UFA-7B Виробник : Diodes Zetex dmp22d4ufa.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.33A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP22D4UFA-7B DMP22D4UFA-7B Виробник : Diodes Zetex dmp22d4ufa.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.33A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 860000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+9.40 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP22D4UFA-7B DMP22D4UFA-7B Виробник : Diodes Incorporated DMP22D4UFA.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 330MA 3DFN0806H4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.7 pF @ 15 V
на замовлення 2898249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.12 грн
12+25.65 грн
100+16.45 грн
500+11.70 грн
1000+10.49 грн
2000+9.47 грн
5000+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP22D4UFA-7B DMP22D4UFA-7B Виробник : Diodes Incorporated DMP22D4UFA.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN0806-3 T&R 10
на замовлення 12453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.64 грн
12+27.23 грн
100+15.19 грн
500+11.57 грн
1000+9.38 грн
5000+8.21 грн
10000+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMP22D4UFA-7B DMP22D4UFA-7B Виробник : Diodes Zetex dmp22d4ufa.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.33A 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP22D4UFA-7B Виробник : DIODES INCORPORATED DMP22D4UFA.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -310mA; Idm: -0.8A; 400mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.4W
Case: X2-DFN0806-3
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 0.4nC
Drain current: -310mA
On-state resistance:
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -0.8A
Drain-source voltage: -20V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.