Продукція > DIODES INC. > DMP22D5UFO-7B
DMP22D5UFO-7B

DMP22D5UFO-7B DIODES INC.

3168545.pdf
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP22D5UFO-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 510 mA, 0.95 ohm, X2-DFN0604, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 510mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 770mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0604
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP22D5UFO-7B DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMP22D5UFO-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 510 mA, 0.95 ohm, X2-DFN0604, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 510mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 770mW, Bauform - Transistor: X2-DFN0604, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції DMP22D5UFO-7B

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMP22D5UFO-7B DMP22D5UFO-7B DIODES INC. 3168545.pdf Description: DIODES INC. - DMP22D5UFO-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 510 mA, 0.95 ohm, X2-DFN0604, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 510mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 770mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0604
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP22D5UFO-7B 3168545.pdf
DMP22D5UFO-7B
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP22D5UFO-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 510 mA, 0.95 ohm, X2-DFN0604, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 510mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 770mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0604
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.