DMP22M2UPS-13 Diodes Incorporated


DMP22M2UPS.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 60A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 476 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12826 pF @ 10 V
на замовлення 100000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+60.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMP22M2UPS-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 20V 60A PWRDI5060-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 476 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12826 pF @ 10 V.

Інші пропозиції DMP22M2UPS-13 за ціною від 59.00 грн до 201.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMP22M2UPS-13 DMP22M2UPS-13 Diodes Incorporated DMP22M2UPS.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 60A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 476 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12826 pF @ 10 V
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.04 грн
10+112.15 грн
100+89.25 грн
500+70.87 грн
1000+60.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP22M2UPS-13 DMP22M2UPS-13 Diodes Incorporated DMP22M2UPS.pdf MOSFETs 20V P-Ch Enh FET 12Vgss PPAP
на замовлення 1656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+201.01 грн
10+128.59 грн
100+76.65 грн
500+63.50 грн
1000+59.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP22M2UPS-13 DMP22M2UPS.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 60A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 476 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12826 pF @ 10 V
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+140.04 грн
10+112.15 грн
100+89.25 грн
500+70.87 грн
1000+60.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP22M2UPS-13 DMP22M2UPS.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 20V P-Ch Enh FET 12Vgss PPAP
на замовлення 1656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+201.01 грн
10+128.59 грн
100+76.65 грн
500+63.50 грн
1000+59.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.