DMP2541UCB9-7 Diodes Incorporated
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 47.49 грн |
| 10+ | 40.56 грн |
| 100+ | 26.41 грн |
| 500+ | 20.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP2541UCB9-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 25V 3.9A U-WLB1515-9, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 940mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Supplier Device Package: U-WLB1515-9, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): -6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V.
Інші пропозиції DMP2541UCB9-7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| DMP2541UCB9-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 25V 3.9A U-WLB1515-9 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 940mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: U-WLB1515-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): -6V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |