DMP25H18DLFDE-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 250V 260MA 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V
Vgs (Max): ±40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 81 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 38.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP25H18DLFDE-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 250V 260MA 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerUDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V, Power Dissipation (Max): 600mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V, Vgs (Max): ±40V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 81 pF @ 25 V.
Інші пропозиції DMP25H18DLFDE-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| DMP25H18DLFDE-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMP25H18DLFDE-13 SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
||
 |
DMP25H18DLFDE-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET 250V P-Ch Enh FET 40Vgss 81pF 2.8nC |
товару немає в наявності |